（1）长寿命和高可靠性/ Long lifetime and high reliability

（2）高输出光/ High radiant flux

（3）100%测试和分拣/ 100% testing and sorting

（4）高抗静电能力/ High ESD withstand voltage

物理参数/Physical Characteristics：

（1）尺寸/Size 芯片尺寸/Chip Size：08mil×08mil（200μm×200μm）

芯片厚度/Chip Thickness：3.6mil（95±5μm）

电极尺寸/Electrode Size：正极(P)：82±2μm；负极(N)：72±2μm

（2）电极金属/Electrode metal：铝(AL)

（3）芯片结构/Structure：InGaN MQW

（4）芯片包装/Packaging：中等粘度蓝膜/Blue tape medium tack

详细资料请单击：NSS-B0808A1 产品规格书.pdf