三菱化学将增加高功率LED用GaN基板的产能。该公司目前在位于日本茨城县的筑波事业所和位于冈山县的水岛事业所生产GaN基板，此次将把筑波事业所的产能增至原来的2倍，但该公司并未公开具体的产能。现在正在进行扩建施工，新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是，用于照明和汽车头灯等的高功率LED的需求扩大。

作为白色LED基础的蓝色LED芯片一般是利用低价格的蓝宝石基板生产。不过，蓝色LED是由GaN类半导体构成的，晶格常数和热膨胀系数与蓝宝石基板大不相同，因此使用蓝宝石基板使晶体缺陷较多，很难实现高输出功率。而GaN基板则不容易出现这个问题。因此，高功率LED出现了采用GaN基板生产的趋势。可以说看，此次三菱化学增产GaN基板，证明了利用GaN基板的LED的需求有所增加。

不过，目前的GaN基板产品是采用名为HVPE法（氢化物气相外延法）的气相法制造的，价格较高。因此，三菱化学一直致力于有望以低成本实现高品质GaN基板的液相法“氨热法”的研究开发。目标是2015年度内开始量产采用液相法的GaN基板。

三菱化学的主力GaN基板是直径为50mm（2英寸）的产品。直径更大的100mm（4英寸）产品目前正在样品供货。