垂直结构LED产品采用晶元键合技术工艺,将生长在不导电、不导热衬底上的外延结构转移到导热、导电性优异的衬底上,再采用剥离技术工艺将外延结构与生长衬底剥离,使得led器件的散热问题得到解决,提高了器件的光电性能和可靠性, 而且垂直结构LED可以在更高的电流密度下驱动,实现单位面积芯片发光强度的大幅提升,大大减低了产品的生产和使用成本。
映瑞光电ER-CZ-1818系列垂直结构LED的优势主要有以下几点: 第一,在同等驱动电流密度条件下,和正装LED芯片相比,垂直结构LED芯片发光效率大幅度提升。如图2测试数据所示, 垂直芯片ER-CZ-1818发光效率比正装ER-ZZ-0920高15%。 第二,垂直结构LED可采用更大的驱动电流密度。 比如ER-ZZ-0920的最大驱动电流密度为0.5A/mm^2, 而ER-CZ-1818最大驱动电流密度可达1.0 A/mm^2。在1 A/mm^2的大电流密度下,即使同时保持和ER-ZZ-0920在0.5A/mm^2电流密度条件下同等的光效,一颗ER-CZ-1818可以取代3-4颗ER-ZZ-0920,而其芯片面积只是ER-ZZ-0920的1.8倍,从而体现出映瑞光电垂直结构LED芯片的附加值。第三,垂直结构芯片轴向光比较强,封装时只需要打一根线,更适合COB的封装和应用。
映瑞光电垂直结构ER-CZ-1818的综合性能可与世界知名同类产品相媲美,在电压、漏电、光效等方面优于世界知名同类产品(见表1.)。此外,ER-CZ-1818产品采用蓝宝石衬底剥离技术,剥离后的蓝宝石衬底可循环使用,降低芯片工艺制造成本,在性价比上有明显优势。映瑞光电垂直结构ER-CZ-1818芯片将于2014年第三季度开始投放市场,可以送样品到客户端进行验证,欢迎合作!
图1.ER-CZ-1818芯片 切割裂片后的ER-CZ-1818芯片
图2.ER-CZ-1818芯片与ER-ZZ-0920芯片的性能对比
表1. ER-CZ-1818芯片与世界知名同类产品性能对比
|
芯片面积(um) |
驱动电流 (mA) |
发光强度(mW) |
150mA下电压(V) |
方向漏电流( uA) |
峰值电流(mA) |
ER-CZ-1818* |
380umx380um |
150 |
>190 |
3.0-3.9 |
<1 @-8V |
350 |
世界知名同类产品** |
380umx380um |
150 |
>90 |
3.1-4.1 |
<2 @-5V |
350 |
*封装测试方法采用世界知名同类产品的封装测试方法:镀金TO39支架,裸芯封装测试,测试采用杭州中为0.3米积分球。
**该技术参数选自世界知名同类产品规格书。