专利摘要显示，本申请公开了一种垂直LED芯片结构及制作方法，包括导电衬底；所述导电衬底下设有背面金属层；所述导电衬底上设有键合金属层；所述键合金属层上设有反射键合金属层；所述反射键合金属层上有欧姆接触金属层；所述欧姆接触金属层上设有钝化绝缘层；所述钝化绝缘层上设有外延材料层；所述外延材料层上设有绝缘保护层；所述绝缘保护层上设有金属手指及焊盘电极本申请利用巨量转移技术和先进封装技术，用micro LED芯片制作传统尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊线过程中对芯片无损伤；同时垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解决了现有技术中存在的技术问题，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
本文源自：金融界
作者：情报员
