专利摘要显示,一种微型 LED,包括:第一类型半导体层;形成在所述第一类型半导体层上的第一类型帽盖层;和形成在所述第一类型帽盖层上的发光层;其中,所述第一类型半导体层包括台面结构、沟槽、和与所述台面结构分离开的离子注入围栏;所述离子注入围栏围绕所述沟槽形成,并且所述沟槽围绕所述台面结构形成;其中,所述第一离子注入围栏的电阻高于所述第一台面结构的电阻。
本文源自:金融界
专利摘要显示,一种微型 LED,包括:第一类型半导体层;形成在所述第一类型半导体层上的第一类型帽盖层;和形成在所述第一类型帽盖层上的发光层;其中,所述第一类型半导体层包括台面结构、沟槽、和与所述台面结构分离开的离子注入围栏;所述离子注入围栏围绕所述沟槽形成,并且所述沟槽围绕所述台面结构形成;其中,所述第一离子注入围栏的电阻高于所述第一台面结构的电阻。
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