设为首页  |    |  广告服务  |  客服中心
当前位置: 首页 » 资讯 » 技术广角 » 正文

密歇根大学优化绿色硅基MicroLED工艺,性能和稳定性得到提升

字体变大  字体变小 发布日期:2022-11-15  浏览次数:1722
核心提示:近期,密歇根大学宣布在MicroLED制造工艺上取得突破,这项新的工艺意味着你可以在硅上加入尺寸不到1微米的绿色LED,号称可实现高

近期,密歇根大学宣布在MicroLED制造工艺上取得突破,这项新的工艺意味着你可以在硅上加入尺寸不到1微米的绿色LED,号称可实现高性能和高稳定性。据悉,这项研究的目的是提升超高分辨率彩色微显示器的制造工艺,以开发出适合AR/VR眼镜的MicroLED技术。

据青亭网了解,AR/VR眼镜使用的MicroLED需要非常小巧、低功耗,且具有稳定性和高效性。另外,MicroLED单个像素尺寸小于1微米,制造工艺相当复杂,生产过程的缺陷率超过50%,而这将导致额外成本。而为了改善上述问题,科技行业已经投入了大量资金。

目前已经可以制造出高效、大面积的蓝色和红色LED,但制造出高效、大面积的绿色LED非常困难,将LED组件尺寸缩减到1微米也具有挑战性。而为了解决这一问题,密歇根大学教授Zetian Mi和他的团队开发了一种亚微米级的III-氮化物绿色MicroLED,其特点是使用了直径仅100到200纳米,间距仅几纳米的纳米线阵列。

科研人员表示:由于氮化物材料和硅衬底之间晶格参数不匹配,会引起丝状位错,纳米线阵列的功能则是过滤这种丝状位错,在硅上可以制造稳定的绿色MicroLED。此外,这种绿色LED制造工艺很容易转化为蓝色,无需转移就可以将蓝色MicroLED集成在硅片上。

 
【免责声明】本文仅代表作者个人观点,与搜搜LED网无关。本网站对文中所包含内容的真实性、准确性或完整性不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。所有投稿或约稿,一经采用,即被视为完全授权,本网有权在不通知作者的情形下,在本传媒旗下平台选择调用。
【版权声明】「搜搜LED」网所刊原创内容之著作权属于「搜搜LED」网站所有,包括在标题后表明(本刊)字的均属本刊原创并已刊登杂志的文章,本着信息共享与尊重原创作者的原则,转载必须注明来源:搜搜LED网或《LED照明世界》或《LED屏显世界》,如有发现在未注明来源的情况下复制、转载或出版,将追究其相关法律责任。
 
[ 资讯搜索 ]  [ ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
在线评论
 
推荐图文
推荐资讯
点击排行
最新资讯
LED网 | 微峰会 | 案例欣赏 | 微信 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 北京InfoComm China 2024展会 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | 网站留言 | RSS订阅 | 粤ICP备09180418号

©2014搜搜LED网版权所有  >

购物车(0)    站内信(0)     新对话(0)
 
顶部微信二维码微博二维码
底部
扫描微信二维码关注我为好友
扫描微博二维码关注我为好友