日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600VSiHJ8N60E和650VSiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间，可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET，具有高可靠性和小封装电感，可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发，表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS，无卤素，无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm，占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且，与无引线DFN封装的MOSFET相比，在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时，PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω，栅极电荷低至17nC，导通电阻与栅极电荷乘积更低，该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。在功率因数校正、反激、双管正激转换器，以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中，这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗，有效节约能源。
MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲，保证限值通过100%的UIS测试。
器件规格表：
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产品编号
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)@25°C
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RDS(ON)()@10 V(最大值)
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Qg(nC)@10 V
(典型值) |
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SiHJ8N60E
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600
|
±30
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8.0
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0.520
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22 |
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SiHJ6N65E
|
650
|
±30
|
5.6
|
0.868
|
16 |
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SiHJ7N65E
|
650
|
±30
|
7.9
|
0.598
|
22 |
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周。
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