该国际科技合作项目通过与日本大桥制作所合作,对LED芯片倒装胶粘新工艺、高性能的散热基板、各向异性导电胶制备等关键技术进行了研究,开发了LED倒装芯片胶粘新工艺;采用LED倒装芯片胶粘封装工艺的COB光源比正装封装COB光源在同等面积下多容纳了30%以上的芯片,总光通量提高了50%以上;研发的专用基板导热系数达到了386 W/m.K,极大地改善了散热性能;申请发明专利1项,获得实用新型专利3项。通过开展国际科技合作,攻克了LED倒装芯片胶粘等多项技术难题,建立了稳定有效的合作机制,在企业内形成了稳定的研发团队。
该项目有效解决了国内现有LED正装芯片封装技术导热性差、导电性差、出光效率低、可靠性较差、单位面积可封装的芯片数量较少等技术问题。LED倒装芯片胶粘工艺成熟后将在LED封装领域形成一条新的技术路线,是一次重大技术突破,填补了国内LED倒装芯片胶粘工艺的空白。此项工艺技术的应用将大规模替代正装键合工艺,实现LED封装技术的升级换代。