东芝的白色LED虽然采用蓝色LED芯片与荧光体组合的普通构成，但其蓝色LED芯片颇具特点。蓝色LED芯片一般通过在蓝宝石基板上层积GaN类半导体来制造。而东芝为了降低成本，采用在硅基板上形成GaN类半导体的技术。该技术通常称为“GaN on Si”。东芝在形成GaN结晶后，去除吸收光的硅基板，作为蓝色LED芯片来使用。
东芝采用GaN on Si技术是因为硅基板比蓝宝石基板容易增大口径，更容易提高生产效率。用于制造蓝色LED的蓝宝石基板，其口径最大也不过150mm（6英寸）。而硅基板则可使用口径为200mm（8英寸）的产品。东芝已开始利用口径为8英寸的硅基板量产蓝色LED芯片。
硅基板产品虽然在成本方面具有优势，但与蓝宝石相比，硅与GaN类半导体之间的晶格常数差及膨胀系数差较大，不容易获得高品质的GaN类半导体结晶。使用GaN on Si技术时，能够减轻硅与GaN类半导体不匹配问题的缓冲层不可或缺。于是，为了实现特性出色的缓冲层，东芝与美国普瑞光电（Bridgelux）展开合作，并从2012年开始量产白色LED。2013年4月，东芝收购了普瑞光电的LED开发部门。
除LED外，东芝还打算将GaN on Si技术用于功率元件。该公司虽然在GaN功率元件方面未推出产品，但一直在做相关研发。
因此，加贺东芝电子扩充生产生设备很可能是为量产GaN功率元件做准备。加贺东芝电子原本就是硅功率MOSFET及IGBT的生产基地，拥有与功率元件相关的经验。
东芝将来量产GaN功率元件时，其优势就在于可使用8英寸基板。目前涉足GaN功率元件的企业使用口径最大也不过为6英寸的硅基板。东芝认为，通过基板增大为8英寸，不仅可提高生产效率，而且在GaN功率元件领域还可比其他竞争公司更具成本优势。
