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行业首发:HKC 惠科宣布在MicroLED上的新突破

字体变大  字体变小 发布日期:2025-02-18  浏览次数:1624
核心提示:2 月 17 日消息,HKC 惠科宣布在高端显示领域取得突破,成功完成全球首款硅基 GaN 单芯集成全彩 Micro LED 芯片(以下称 SiMiP)在微间距 LED 大屏直显领域的应用的研发。
 2 月 17 日消息,HKC 惠科宣布在高端显示领域取得突破,成功完成全球首款硅基 GaN 单芯集成全彩 Micro LED 芯片(以下称 SiMiP)在微间距 LED 大屏直显领域的应用的研发。

该技术基于立琻半导体 SiMiP 芯片基础上的共同研发,提升了生产效率与显示效果,宣称推动我国在微间距 LED 大屏直显技术进入“全球前列”。

据 HKC 惠科官方介绍,此次研发的 SiMiP 技术通过单芯集成红绿蓝三基色像元,简化生产与修复工艺,该技术可“大幅提高微间距 LED 显示模组生产的直通良率,显著降低生产成本”。

该技术采用单芯片集成方案,无需复杂的巨量转移和修复工艺,同时避免使用有毒材料;此外,红绿蓝三基色像元在发光波长、工作电压及出光分布上具有高度一致性,从根本上解决了传统方案的色偏问题。

近年来,惠科持续加码Mini/Micro-LED技术研发与产能建设,累计投资超百亿元,构建了从技术研发到规模化生产的完整生态链。此次SiMiP芯片技术的成功应用,进一步巩固了惠科在高端显示领域的技术领先地位。

来源:惠科

 
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