专利摘要显示，本发明公开了一种低电压 MicroLED外延片及其制备方法、MicroLED，涉及半导体光电器件领域。低电压 MicroLED 外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂 GaN 层、N 型 GaN 层、多量子阱层、电子阻挡层、P 型 GaN 层和 P 型接触层；其中，所述P 型接触层包括依次层叠于所述P 型 GaN 层上的多孔AlInN 层、二维 P 型 BGaN 层、AlN 粗化层、P 型 BInGaN 纳米团簇层和 P 型 AlInGaN 粗化层；其中，所述多孔 AlInN 层通过 H2 刻蚀 AlInN 层制得，所述 P 型 AlInGaN 粗化层通过 N2 粗化 P 型 AlInGaN 层制得。实施本发明，可降低工作电压，且提升光提取效率，进而提升发光效率。

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