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江西兆驰半导体申请高光效 Micro-LED 外延片及其制备方法等专利,可提升发光效率

字体变大  字体变小 发布日期:2024-12-04  浏览次数:912
核心提示:本发明公开了一种高光效 Micro‑LED 外延片及其制备方法、Micro‑LED,涉及半导体光电器件领域。
 金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“高光效 Micro-LED 外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利,公开号 CN 119050225 A,申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示,本发明公开了一种高光效 MicroLED 外延片及其制备方法、MicroLED,涉及半导体光电器件领域。MicroLED 外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂 GaN 层、N 型 GaN 层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层;空穴扩展层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的 BN 层和 Mg 轻掺 GaN 层;空穴存储层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的 GaN 层、InGaN 层和 Mg 掺 AlGaN 层;空穴层为周期性结构,每个周期均包括依次层叠的 P 型 BInGaN 层、Mg3N2 层和 P 型 GaN 层;P 型 GaN 层的掺杂浓度≥1×1019cm3。实施本发明,可提升发光效率。

 
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