图片来源：Optics.org
据悉，铟镓氮化物LED被认为是最高效的光源之一，但它们通常仅在低功率水平下运行。为了获得更高亮度的光，需要增加其功率。然而，向LED增加更多功率会导致其效率下降，这种现象被称为效率下滑。
一种克服效率下滑的方法是增加LED的面积，从而提高光输出，但这也需要使用更大的芯片。然而随着芯片尺寸变大，晶圆能够生产的LED数量将减少，从而导致更高的生产成本和更大的环境影响。
对此，研究人员通过倾斜InGaN层并以不同的方向切割晶圆的方法，改变所得晶体的极化特性，从而减少了LED效率下滑。研究人员在一种廉价的蓝宝石基底上制造了（1013）方向的LED, 这些LED在更高功率下拥有更好的效率表现。
这一发现为制造商开发下一代LED技术提供了创新方法，例如开发更高效、更明亮的Micro LED显示屏，适用于移动设备和大屏幕电视中；开发更高电流密度的LED，应用于汽车和特种工业照明应用；开发更快开关速度的LED，应用在可见光通信技术和VR眼镜中。
研究人员表示，未来的研究很可能无法找到比这更好的切割方向，特别是在蓝宝石基底上。
