近日相关信息:乾照光电取得半导体发光芯片及其制造方法专利
4月23日消息,据国家知识产权局公告,厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“半导体发光芯片及其制造方法“,授权公告号CN109037407B,申请日期为2018年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法,其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组,其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧,另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧,并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层,其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层,所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。