在《使用CMOS兼容方法与InGaN / GaN微型LED进行并行通信》论文中，原子能信息实验室将介绍如何直接在200毫米硅基板上制造LED，为生产由专用CMOS电路独立控制、几微米级别的LED矩阵铺平了道路。

InGaN / GaN微型发光二极管因其坚固耐用、大规模可用性和达到GHz级带宽的能力，成为实现高数据速率光通信的有力候选器件。

LED 阵列使用InGaN / GaN微型发光二极管，可以实现大规模并行传输，从而达到高数据速率密度。

原子能信息实验室还研发出一种将GaN LED矩阵集成到CMOS ASIC上的专利工艺，通过将微型LED直接粘接在200毫米硅晶片上，并使用氮化镓基器件作为发射器和快速光电探测器，优化了微型LED的集成度。

另一项论文名为《在蓝宝石、独立GaN和硅上，InGaN量子阱厚度对其载流扩散长度的影响》。

该机构表示：“我们通过实验证明，可以通过减少InGaN量子阱的厚度来减少扩散长度。此外，我们还展示了在大型量子阱中观察到的与功率相关的、意想不到的扩散行为，这可能有助于我们理解发射器的物理学原理。”