利用此次开发的制造工艺制成的以RGB各色发光的LED。绿色发光是流过10.8mA电流时的状态（照片由东京大学提供）。
该技术使基板及结晶生长的成本大幅降低，有望促进LED实现低价格化。另外还存在低成本实现大面积LED的可能性，因此还有望实现大屏幕高精细LED显示器，以及可取代以面发光为特点的有机EL照明的大面积LED照明。
还试制了RGB发光元件
藤冈等在约5cm见方的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜。然后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法（PSD）形成了AlN、n型GaN、由GaN与InGaN的多层构造构成的量子阱（MQWs），以及p型GaN各层。据称已确认通过光激发及电流注入均可作为LED发光。另外，此次还分别制作出了以红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）三原色发光的LED。
制造效率超过MOCVD
用溅射法来形成包括量子阱等在内的高品质GaN结晶，这在以前是公认几乎不可能的，但仍有很多研究机构及企业在尝试开发，不过“成功的只有我们，这在全球尚属首次”（藤冈）。
藤冈早在约10年前就已开始致力于该技术的开发。“虽然最初时GaN结晶品质较低，但品质及生产效率逐步得到了提高。现在，生产效率要比LED制造中常用的MOCVD*要高，而且还可实现被称之为Layer By Layer的、以原子为单位的成膜”（藤冈氏）注1）。
*MOCVD=有机金属化学气相沉积法。由于需要使用毒性强的有机金属原料及氨气（NH3）等，因此需要更多的成本。
注1）“牺牲性能来提高制造效率没有任何意义，因此此次的LED是利用与MOCVD相同的数μm/h的成膜速度制作的”（藤冈）。
此次开发的技术“属于结晶生长条件及步骤等经验的范畴，溅射装置可利用已有的产品”（藤冈）。目前已利用该技术“试制出了LED以及由GaN构成的高电子迁移率晶体管（HEMT）”（藤冈）。
可低成本获得石墨烯
另外，之所以要在玻璃上铺上石墨烯，是因为这样做可使氧化铝（AlN）及GaN的结晶品质得到大幅提高。
藤冈于2008年开发了在石墨片材上使AlN结晶及GaN结晶生长的技术。石墨烯可以是只有一层原子的石墨片材，近三年来，已能够低成本制造数层且多结晶的石墨烯大面积片材了。此次使用的石墨烯据称就是市售产品。“石墨烯是二维的，因此即便是多结晶，c轴的朝向也是统一的，晶界状态也很好”（藤冈）。
在LED的发光性能方面，目前还没有可与已有产品比较的WPE（Wall Plug Efficiency，发光效率）等数据。不过，在对极低温条件下光激发产生的内部量子效率进行检测时，“结果比已有LED低数成。今后的课题是如何提高内部量子效率”（藤冈）。
还可在大面积玻璃上制造
如果发光性能没有大的问题，此次的技术便有可能动摇已有的LED技术，乃至液晶显示器及有机EL技术。
首先，通过将基板改为玻璃，省去了LED的蓝宝石基板。玻璃基板的成本只有蓝宝石基板的数十分之一。即便与使用比蓝宝石便宜的Si基板的“GaNon-Si”技术相比，也有望实现更低的成本。而且，通过使用溅射法，结晶生长装置的成本也比MOCVD法降低。另外，如果能够分别制造RGB发光元件，还可省去荧光体的成本。不过，只凭借这些方面的改进，LED的制造成本还降不到1/2。因为封装的成本占到整体的6成。
对此，藤冈认为“LED封装成本高是因为在小的LED芯片中流过大电流的散热对策上耗费了成本。而溅射法也普遍用于在数m见方的玻璃上制造液晶显示屏，适于大面积的成膜。这样，在制造大面积LED时，封装成本就可得到大幅降低”。这时单位面积的制造成本接近已有LED的1/10。
如果能够低成本制造大面积LED，在实现不用液晶的自发光LED显示屏时，门槛就会大为降低。而且与有机EL相比，还具有可靠性高的优势。
此次虽然使用的是玻璃基板，但“只要可转印石墨烯，并具有可承受约500℃处理温度的耐热性，基板可使用任何材质”（藤冈）。另外，如果利用超薄可弯曲的玻璃基板等，还可制造具有柔性的大面积LED。
