资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的专有技术，只需将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
近日，外媒报道，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode宣布，与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。
资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的专有技术，只需将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
据了解，Sundiode的外延技术使得开发多结（Multiple junctions）堆叠式RGB LED芯片成为了可能，芯片能够独立地发出RGB光色。采用这种芯片结构，制造商更易于生产出超高密度微型显示器。
Sundiode表示，由于在晶圆上测试采用了快速检查方法，单片RGB LED结构可作为级联多结LED（Cascade multi-junction LED）工作，检测所发出的光线则证实级联LED的正常运作。
本次研发的合作方Soft-Epi来自韩国，作为一家GaN技术开发商，已在2021年成功开发基于GaN的红、蓝、绿光LED。而在去年，Soft-Epi开发出号称韩国首款的红色GaN外延片，目前该产品已量产出货。
资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的专有技术，只需将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
