4月6日，华引芯发布了全新自研0.4英寸Micro LED模组。该模组集成了129600个像素点，最小芯片单元尺寸及像素间距为18μm，拥有480270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的对比度，适用于AR、汽车抬头显示（HUD）、智能光源显示等领域。

华引芯介绍，相比采用约2万颗Mini LED灯珠的高阶Mini LED显示模组，本次其推出的Micro LED模组拥有129600个可单独驱动的像素点，实现了像素级控光效果，比Mini LED的分区背光控制更加直接和纯粹。

华引芯指出，EQE是指发射到外部的光子数与流过结的载流子数目之比，EQE越大，LED发光效率越高。而解决Micro LED的发光效率问题，是实现大规模量产的基础。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比较严重的侧壁效应影响，各种侧壁缺陷主要在蚀刻过程中出现，这些缺陷会导致非辐射复合。在低电流密度下，Micro LED的效率将非常低下。对此，华引芯认为可以通过优化LED芯片结构设计、改善工艺流程等来减少侧壁效应，从而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，华引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding转移方案，并通过新型LED芯片结构设计及改进工艺等方法提升了芯片的EQE，产品良率及性能得到显著的提升。此外，华引芯从芯片到封装再到模组的所有环节都是自主设计制造，有助于其提高生产效率和产品可靠性，进而帮助控制成本，有望推动Micro LED的量产进程。

不过，华引芯也提到，目前Micro LED技术仍然面临一些技术壁垒，除了芯片效率、巨量转移及全彩化之外，电源驱动、背板、检测与修复技术等方面也还未达到量产的水平，因此，Micro LED的量产还需靠全产业链的共同推动。