2月19日，厦门三安光电有限公司公开了发明名称为“一种LED发光装置及其制造方法”和“发光二极管器件及其制备方法”两项发明专利。
专利一：一种LED发光装置及其制造方法
其中，发明名称为“一种LED发光装置及其制造方法”的发明专利，公开号为CN112382716A，申请日期为2020年10月28日。申请（专利权）人：厦门三安光电有限公司；发明人为：江宾、林素慧、曾炜竣、彭康伟、曾明俊、何安和、刘小亮。
据了解，LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中的紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值，尤其是在杀菌消毒方面的应用，引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。UV LED用于杀菌、消毒时，其使用环境大部分湿气较严重，这就对UVC LED的封装提出了更高的要求。
该项发明提供一种LED发光装置及其制造方法，该LED发光装置包括基板，所述基板具有相对设置的第 一表面和第二表面，所述第 一表面上设置有导电线路层；LED芯片，所述LED芯片通过所述导电线路层固定在所述基板的第 一表面上；无机密封层，所述无机密封层覆盖所述LED芯片的表面、侧壁以及所述基板的第一表面。
上述无机密封层可以是SiO2和/或HfO2等一层或多层氧化物层。该无机密封层对UV或者UVC具有较高的透过率，并且即使长时间在UV或者UVC的照射下，也不会出现老化或龟裂等问题。本发明在LED芯片的表面、侧壁以及基板的第 一表面上同时形成上述无机密封层，能够同时有效保护LED芯片及基板。
专利二：发光二极管器件及其制备方法
另一项发明名称为“发光二极管器件及其制备方法”的专利，公开号为CN112382711A，申请日期为2020年10月19日。申请（专利权）人：厦门三安光电有限公司；发明人为：张博扬、董浩。
发光二极管器件由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。为了提高发光二极管器件的出光效率，现有常见的发光二极管器件常在半导体外延层下方设置反射层，反射层的面积越大，其出光效率越高。但是，现有发光二极管器件一般均需对半导体外延层粗化处理，在粗化处理过程中，蚀刻液容易渗透至反射层，并刻蚀反射层，从而影响发光二极管器件的出光效率。
因此，如何在发光二极管器件具有较大反射层的情况下，避免反射层在后续形成粗糙部过程中被刻蚀，以提高发光二极管器件的出光效率，成为本领域亟需解决的问题。
此项申请公开了一种发光二极管器件及其制备方法，适用于发光二极管相关技术领域。该发光二极管器件管包括基板、台面结构、功能层和保护层；台面结构包括由第 一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层；第二类型半导体层位于靠近基板的一侧，第 一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部；功能层，包括用于与半导体外延层连接的第 一表面和用于与基板连接的第二表面；半导体外延层的面积小于功能层的面积；保护层配置为：至少覆盖第 一表面除半导体外延层之外的区域。
本申请利用保护层遮挡住功能层除半导体外延层之外的区域，提高发光二极管器件中反射层的面积，进而提高发光二极管器件的出光效率。
