在显示技术领域，Micro LED和Mini LED是近年十分火热的两个概念，它们赋予了LED更多应用的可能性，可往如电视、显示器、车载显示等需要更高分辨率的应用场景延伸，市场前景广阔，潜力强劲。

Mini LED显示

像素点间距在0.3-1.0mm之间，采用普通或巨量转移方式将正装/倒装芯片转移到基板上生成显示产品。

Micro LED显示

像素点间距≤0.3mm，采用巨量转移技术将倒装芯片/垂直芯片键合到TFT玻璃背板或CMOS背板上生成显示产品。

在应用市场方面，Mini LED目前主要应用在大尺寸电视显示上，在小尺寸显示应用的超高清显示，Mini LED较难突破技术极限，Micro LED应运而生。

据LEDinside在2019年的报告中指出，Micro LED各项功能性指标(PPI、亮度、功耗、薄度等)均表现优异，未来成长空间巨大，市场规模有望达到300-400亿美元。

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四大挑战

Micro LED显示产业化前行受阻

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Micro LED前景虽可期，但现阶段的技术尚不到位。由于Micro LED需要处理极高数量与极小尺寸的芯片，在其显示封装技术与产业化面临多项挑战：

▌结构设计

传统分立器件贴装结构，除我司独有的IMD封装技术外，其他均难以达到P0.X要求，超薄、超高清等显示要求对Micro LED显示封装结构提出新挑战;

▌工艺开发

Micro LED显示制造技术从实现路径到成本良率面临诸多挑战，包括芯片制造、巨量转移与键合、全彩化显示等技术难题;

▌可靠性

Micro LED显示屏用器件剧增，巨量集成导致焊接、封装质量和坏点维修难度大;

▌系统集成

系统关键技术指标暂无统一规范的指导标准，Micro LED显示暂无丰富内容和终端支持。

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持续创新

国星Micro LED领域再获突破

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打破Micro LED关键技术难点，需要开发适合Micro LED的工艺技术路线，并有新材料、新设备配套支持。国星光电作为国内知名封装龙头，一直高度关注Micro LED显示技术的进展，坚持自主创新，协同产业链各环节，力克技术难关，积极投入技术研发和产品布局。

今年6月，国星第1代Micro LED显示新品 nStarⅠ正式面世，采用玻璃基板工艺，具备更高精度，更高透过率的优势;采用RGB芯片巨量转移技术，色域大于100%NTSC，使全彩化显示更真实;采用一体式超薄封装技术，可兼顾散热与显示一致性;同时具备更低能耗与更高可靠性的优势，实现被动式驱动Micro LED全彩显示屏。

国星Micro LED显示新品 nStar Ⅰ

11月25日，国星光电研究院主任工程师章金惠博士应邀出席第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS2020)，并在论坛的“Mini/Micro-LED与其它新型显示技术分会”上分享了《从Mini到Micro LED技术演变的思考、问题及进展》主题报告，为大家详细介绍了国星Micro LED技术的新进展。

目前，国星光电在Micro LED领域已实现了较大的技术突破，在第1代Micro LED显示屏的基础上，已与面板厂合作开发出基于TFT玻璃背板的主动式驱动Micro LED全彩显示屏。近日，采用自主研发的巨量转移技术，已经初步实现250PPI以上红/绿/蓝单色转移键合点亮。

预计明年将实现P0.1以下的主动式驱动全彩显示及P0.0x以下的被动式驱动单色显示，未来可渗透在4k/8k大尺寸电视显示屏、车载显示屏、穿戴设备显示设备、AR/VR等应用市场。

国星光电Micro LED Roadmap

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迸发力量

国星创新平台开放合作共攻难题

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一直以来，国星光电始终积极布局新型微显示赛道，以先进技术领先行业。目前已成立国星研究院、微显示企业重点实验室、Micro&Mini LED研究中心三大创新科研平台，通过开放合作的模式，加强与学术界及产业界协作，联手产业链上中下游各个环节，集中优势资源攻克微显示行业技术性难题，合力打破技术发展瓶颈，并积极研发定制化、先进的LED显示封装解决方案，推动科研技术成果孵化，共同推进Micro LED产业化，实现共赢。

今年，广东省半导体微显示企业重点实验室和国星光电研究院正式揭牌

接下来，国星光电将继续联动创新科研力量，始终坚持技术创新战略部署，以硬核的研发实力和领先的技术储备为市场提供更全更优的微型显示封装技术方案，力推新型显示产业发展壮大!