图形化衬底(定向、纳米)和半极性、非极性衬底方面，通过改进工艺、简化流程、节省原料、降低成本等取得了很好的成果；同质外延方面，可采用多种方法生产GaN衬底，并在GaN衬底上生长GaN的LED，极大减少了MO源和高纯气体用量，有人预测可降低成本50%。
     在8英寸的Si衬底上生长GaN，全球有多家公司已投入研发，由于可用现有多余的生产设备、简化工艺流程，将大幅度降低成本。同时，Aixtron推出以Si为衬底的外延炉，可严格控制弯曲度，均匀一致生产。这无疑将推动在8英寸的Si衬底上生长外延的进程，并可大幅度降低成本。
     日本碍子公司的新外延技术由于大量减少位错密度，极大提高了LED性能指标，取得了突破性进展。
     在芯片结构方面，已出现多种新结构，较典型的是六面体发光芯片，并采用多面表面粗化技术，减少界面反射，提高光萃取率，从而提高外量子效率。三星公司采用纳米级的六角棱锥结构技术做出的LED，可实现半极性、非极性生长GaN，散热好、晶体质量好，实现了多色光的白光LED，取得突破性进展。
     据有关报道，综合来看，许多外延、芯片的重大技术创新，大部分是针对提高性能和降低成本的关键技术问题，所以有机构专家分析预测，未来10年外延成本将以每年25%的速率降低。
     综上，由于GaN外延、芯片技术的不断突破，采用不同衬底、新结构和纳米级技术等，可生长低位错的GaN，并做出高光效LED。在没有波长转换时，其光效可超过300lm/W(理论值可达400lm/W)；采用荧光粉波长转换时，光效可超过200lm/W(理论值可达263lm/W)，还可开拓单芯片发多色的新技术路线。同时，采用新技术和大圆片技术生长外延，可大幅度降低外延、芯片的制作成本。