LED网：LED芯片光电性能特性 Optical and Electrical Characteristics  （Ta=23 ℃ ）
参数 Parameter
符号
Symbol
LED芯片工作条件 Test Condition  最小值 Min.  最大值 Max.  单位 Unit
LED芯片发光强度
Luminous Intensity
Iv  @20mA
80  85
mW
85  90
90  97.5
97.5  105
105  112.5
112.5  120
120  127.5
127.5  135
135  145
主波长
Dominant Wavelength
Wd  @20mA
445.0  447.5
nm
447.5  450.0
450.0  452.5
452.5  455.0
455.0  457.5
457.5  460.0
460.0  462.5
462.5  465.0
正向电压
Forward Voltage
Vf  @20mA  7.8  10.2  V
防静电
Anti-static
ESD  HBM  1  -  KV
反向电流
Reverse Current
Ir  @-30V  -  0.5  A
反向电压LED网
Reverse Voltage
Vr  @-10uA  30  -  V
开启电压
Cut-in voltage
Vfin  @1uA  6  -  V
LED芯片应用说明 Application Notes
  所有数据均是基于华灿光电测试仪器上实施的裸晶芯片测试，99%的芯片符合标
  All data are measured by HC SemiTek ’ s equipments on bare chips within 99% of the nominal value.
  主波长的测试误差为±1nm
  Measurement error for dominant wavelength is  ±1nm.
  氮化镓基 LED 的 ESD 敏感度属于人体模式的 class 1 级别，处理 LED 芯片时建议采取防静电措施
  GaN LEDs are class 1 ESD sensitivity. ESD protection during chip handling is recommended.
  欢迎提出客制化特殊需求。
  Customer’s special requirements are also welcome.LED网