搜搜LED网讯：LED芯片里面的差异化是比较难做的。因为在LED芯片厂家里面的人流动比较频繁，所以在技术或者方案里面要做到很大差异存在一定的难度。对于LED芯片厂家士兰明芯来讲，我们主要在质量管理上不断细化，从而提升芯片的质量，使生产出来的芯片在稳定度上占有优势，确保流入市场的产品出现的问题最少，而不是一味的追求品种差异化或者其他方面的差异。本文为杂文优质内容去LED网首页

   因此，在面对不断提高电流情况的同时，如何增加抗热能力，也是现阶段的急待被克服的问题，从各方面来看，除了材料本身的问题外，还包括从LED晶片到封装材料间的抗热性、导热结构、封装材料到PCB板间的抗热性、导热结构，及PCB板的散热结构等，这些都需要作整体性的考量。

   近两年红光ASLED芯片在亮度方面进展确实缓慢，不同于GaN外延片的亮度不断提高，四元系红光外延的内量子效率已经很高，缺乏提升空间。市面LED芯片厂家采用晶圆键合和衬底转移技术制作的反极性芯片（N电极向上）虽然亮度较高，但是成本高昂贵而且在芯片尺寸小型化方面还面临一定的VF较高问题，并不适合小间距显示屏应用。我司的对策是提高四元红光外延片的DBR反射效率以及采用表面粗化技术，提高外量子效率，我司小间距显示屏红光芯片在同尺寸在亮度比其他厂家高15%，可有效降低使用电流减少发热。

   与蓝绿芯片相比，红光芯片技术发展革新较慢，光电转换效率还有待提高。红光LED芯片要想和蓝绿芯片匹配，往往要调大电流，在小间距领域，不仅导致功耗变大，而且产品温度更高。贵公司如何推动红光芯片的技术革新，改变这一不利局面？而并非进行晶片表面改善后，再加上增加晶片面积就绝对可以一口气提升亮度，因为当光从晶片内部向外散射时，晶片中这些改善的部分无法进行反射，所以在取光上会受到一点限制，根据计算，最佳发挥光效率的LED晶片尺寸是在7m㎡左右。和大面积LED晶片相比，利用小功率LED晶片封装成同一个模组，这样是能够较快达到高亮度的要求，例如，Citizen就将8个小型LED封装在一起，让模组的发光效率达到了60lm/W。

更多关于LED芯片厂家资讯请关注搜搜LED网或关注我们的微信公众号sosoled68