此外，LED芯片硅衬底上氮化镓功率器件也是很重要的一个应用领域，有望超越传统的功率器件开拓出一个新的应用领域。以氮化镓为代表的第三代半导体一个主要特点就是禁带宽度宽。这个特点使得其制作的器件具有击穿电压高、电流密度大、工作温度高等优点，因此在大功率、高温电力电子器件应用方面性能远优于传统的硅和砷化镓基电子器件。其应用范围将涵括电脑，手机，数码相机，电源，电机，UPS，电动汽车，基站，电厂等。LED芯片采用硅来作为氮化镓电子器件的衬底已经是国际共识，主要是由于硅具有其他衬底材料无可比拟的成本优势。

　　LED照明灯具（灯饰）LED芯片说起硅衬底的未来，陈振博士谈到：“希望通过导入硅衬底，从本质上改变LED照明灯具（灯饰）行业的技术，使得GaNLED从一个半自动化的、人力密集型的产业升级成为和现代集成电路工艺相当的高自动化、高精度的半导体行业。希望新技术同时带来低成本和高控制精度，最终形成一个标准的制造业。